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    2. MBE

      分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,縮寫:MBE)是新發展起來的外延制膜方法,也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術,它是在適當的襯底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。該技術的優點是:使用的襯底溫度低,膜層生長速率慢,束流強度易于精確控制,膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調整。用這種技術已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜,以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結構材料。資料來源:百度百科

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